Сайт использует сервис веб-аналитики Яндекс Метрика с помощью технологии «cookie». Пользуясь сайтом, вы даете согласие на использование данной технологии.
Разрабатывать DRAM-память становится всё сложнее, а управлять ею в центрах обработки данных с искусственным интеллектом (ИИ) – всё сложнее. Раньше основными факторами были задержка, пропускная способность и ёмкость. Но по мере роста объёма данных, которые необходимо обрабатывать, перемещать и хранить, появляется целый ряд новых факторов. Стивен Ву, коллега и выдающийся изобретатель Rambus, рассказывает журналу Semiconductor Engineering о задержке под нагрузкой, частоте заполнения, проблемах питания, надёжности и стоимости, а также о том, как все эти факторы сочетаются в стеках HBM4.
